[发明专利]硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置

摘要

硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。

主权项

1、硅表面复杂三维微结构加工方法，其特征在于其步骤为：1).将带有待加工结构互补结构的模板固定于固定架上；2).将电化学刻蚀溶液注入放置有待加工的硅片的容器；3).移动固定架，使模板浸入电化学刻蚀溶液；4).以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统；5).将模板逐步移向硅片，开始对被加工工件进行刻蚀；6).驱动装置不断地将模板向被硅片移动以保持刻蚀不断地进行，至刻蚀完毕，模板离开硅片表面。