[发明专利]制造场发射器件的方法无效
| 申请号： | 200410035278.9 | 申请日： | 2004-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1530997A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李晶姬;李亢雨;朴相铉;金维钟 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发射 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造场发射器件的方法，该方法包括：(a)制备衬底结构，该衬底结构包括：衬底；形成在该衬底上的阴极电极；形成在该阴极电极上的栅绝缘层，该栅绝缘层具有露出部分该阴极电极的孔；以及具有与所述孔相对应的栅极孔的栅极电极，所述阴极电极、栅绝缘层和栅极电极依次叠置在该衬底上；(b)在该衬底结构的不包括该阴极电极的由所述孔露出的该部分的表面上和所述孔的内壁上形成牺牲层；(c)在该牺牲层上形成隔离层，该隔离层用于防止形成发射体的电子发射材料接触该牺牲层；(d)通过在形成有该牺牲层的该衬底结构的表面上设置该电子发射材料来形成电子发射材料层，该电子发射材料层填充所述孔；(e)除去形成在该牺牲层上的该隔离层和该电子发射材料，并通过使用蚀刻剂进行浮脱工艺，在所述孔内使用该电子发射材料层形成该发射体，该浮脱工艺用于除去形成在该栅极电极的表面和所述孔内壁上的该牺牲层；以及(f)烧制所述发射体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社，未经三星SDI株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410035278.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：网络地址设定方法
- 下一篇：电子装置的制造方法及芯片载架
