[发明专利]用于去除水氧阴离子的改进的改性基质无效
| 申请号： | 200410035210.0 | 申请日： | 2004-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1676471A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | F·哈格塞雷斯特 | 申请（专利权）人： | 综合矿物科技有限公司 |
| 主分类号： | C02F1/58 | 分类号： | C02F1/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹雪梅;马崇德 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于去除水氧阴离子的改性基质，通过以下步骤形成：从具有天然中到高阳离子交换容量的矿石或矿石等同物中选择基质；通过高温下将一种或多种IIIB和IVB族元素的盐溶解在水中，而由这些盐形成基质改性剂；和在高剪切速率下混合基质和基质改性剂。本发明还提供了所述改性基质的形成方法、其配制装置、一种颗粒状改性基质，及一种用于从含有水氧阴离子的水中去除水氧阴离子的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 阴离子 改进 改性 基质 | ||
【主权项】：
1、一种用于去除水氧阴离子的改性基质，通过以下步骤形成：从具有天然中到高阳离子交换容量的矿石或矿石等同物中选择基质；通过高温下将一种或多种IIIB和IVB族元素的盐溶解在水中，而由这些盐形成基质改性剂；和在高剪切速率下混合基质和基质改性剂。
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