[发明专利]电平位移电路

摘要

本发明公开了一种电平位移电路，其目的在于：抑制在CMOS结构的电平位移电路中产生贯通电流。在由4个晶体管M1～M4构成的CMOS结构的电平移位基本电路10中，加了用以抑制其贯通电流的控制电路20。在使控制输入VS1为低电平而让控制用N型MOS晶体管M7、M8截止的那一时间段(开关断开期间)，让互补数据输入Vin1、Vin2迁移。在该开关断开期间，N型MOS晶体管M1、M2的各自的源极从VSS上分离。而且，在该开关断开期间内，通过控制输入VS2为低电平而让控制用P型MOS晶体管M5、M6接通。在这些控制用P型MOS晶体管M5、M6接通的那段时间，数据输出Vout1和Vout2都预充电到VDD(预充电期间)。

主权项

1、一种电平位移电路，其特征在于：其为一将输入信号变换为具有第1电源和比所述第1电源还低的电压的第2电源之电位差的输出信号的电平位移电路；其包括：将所述输入信号变换为具有所述第1电源和所述第2电源之间的电位差的所述输出信号的电平移位基本电路，以及控制电路，其包括：根据第一控制输入切断所述电平移位基本电路中的所述第一电源和所述第二电源之间的电流经路的第一电路、和根据第二控制输入将所述电平移位基本电路中输出所述输出信号的输出节点的电位固定好的第二电路。