[发明专利]场发射显示器有效

专利信息
申请号: 200410027043.5 申请日: 2004-04-23
公开(公告)号: CN1691267A 公开(公告)日: 2005-11-02
发明(设计)人: 魏洋;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J29/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种场发射显示器,解决电子束发散的问题。本发明的场发射显示器包括:互相间隔开的阴极和阳极,形成在阴极上的绝缘层,形成在绝缘层上的栅极,以及与阴极电连接的电子发射体;其中,对应于同一像素的电子发射体分布在该像素对应的栅极的两侧,并且对应于该像素的电子发射体的顶端靠近但低于该像素对应的栅极。电子发射体具有可发射电子的尖端,该尖端低于栅极的下表面。阴极和阳极之间间隔有绝缘侧壁,形成封闭空间;阳极表面形成有荧光层;电子发射体包括碳纳米管。这样,栅极具有发射电子和聚焦电子的双重作用,实现发射电子和控制电子发射方向的目的。
搜索关键词: 发射 显示器
【主权项】:
1.一种场发射显示器,其包括:一绝缘基底;一阴极,形成在该绝缘基底的表面;一栅极,形成在一绝缘层上并通过该绝缘层与阴极间隔开;一透明基板,其是以面对绝缘基底形成有阴极的表面的方式设置,并且通过绝缘侧壁与阴极间隔开;一阳极,其形成在该透明基板面对阴极的表面;一荧光层形成在阳极上;以及形成在阴极上的电子发射体;其特征在于,对应于同一像素的电子发射体分布在该像素对应的栅极的两侧,并且对应于该像素的电子发射体的顶端靠近但低于该像素对应的栅极。
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