[发明专利]无栅极离子助镀器无效
| 申请号： | 200410026512.1 | 申请日： | 2004-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1667156A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 颜士杰 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;H01J27/02;H01J27/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于真空镀膜设备的无栅极离子助镀器，其包括一离子源，该离子源包括：一放电区；一磁路，该磁路环绕该放电区；一供气系统；一阳极，设置在该放电区的下方；一阴极，设置在该放电区的上方，和上述阳极相对应；和一阳极发射角工件，设置在该阳极上方，用于控制离子发射角度。本发明的无栅极离子助镀器可以配合基材数量和基材摆设位置来选择离子发射角度，提高基材的镀膜品质。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 离子 助镀器 | ||
【主权项】：
1.一种无栅极离子助镀器，其包括一离子源，该离子源包括：一放电区；一磁路，该磁路环绕该放电区；一供气系统；一阳极，设置在该放电区的下方；一阴极，设置在该放电区的上方，和上述阳极相对应；其特征在于还包括一阳极发射角工件，设置在该阳极上方，用在控制离子发射角度。
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