[发明专利]一种多块晶体电光Q开关器件

摘要

一种多块晶体电光Q开关器件，属于旋光性电光晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明由至少两块La₃Ga₅SiO1₄或掺Nd离子La₃Ga₅SiO₁₄或相关系列晶体材料La₃Ga_5－xAl_xSiO₁₄，Sr₃Ga₂Ge₄O₁₄，Na₂CaGe₆O₁₄，Ca₃Ga₂Ge₄O₁₄，La₃Ga_5.5Nb_0.5O₁₄，La₃Ga_5.5Ta_0.5O₁₄按照一定的设计切型和设计晶轴取向制成的一种晶体电光Q开关器件，用于Ho:YAG脉冲激光器及其它近红外和可见脉冲激光器作电光调Q使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，消光比低，电场偏压影响晶体的旋光性，Q开关器件的消光比受晶体生长应力影响大，对晶体质量要求苛刻等缺点。本发明的晶体电光Q开关器件具有半波电压低，消光比高，基本上消除电场偏压对晶体旋光性的影响，使晶体生长应力的影响降低，稳定性好，降低制作成本等优点。

主权项

1、一种晶体电光Q开关器件，其特征在于，由至少La3Ga5SiO14或掺Nd离子La3Ga5SiO14或相关系列晶体材料La3Ga5-xAlxSiO14、Sr3Ga2Ge4O14、Na2CaGe6O14、Ca3Ga2Ge4O14、La3Ga5.5Nb0.5O14或La3Ga5.5Ta0.5O14切型制成，当晶体材料为La3Ga5-xAlxSiO14，x取值范围：0～5。