[发明专利]加热难熔氧化物的方法和装置无效
| 申请号： | 200380103327.1 | 申请日： | 2003-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1711803A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | M·G·塔尔纳夫斯基 | 申请（专利权）人： | 液体制陶技术有限公司 |
| 主分类号： | H05B6/02 | 分类号： | H05B6/02;H05B6/46 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;吴鹏 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 一种加热难熔氧化物材料的方法，包括应用一高频电场以加热该难熔氧化物材料以及应用一磁场以加热该难熔氧化物材料。所述高频电场将所述难熔氧化物材料充分加热至这样的温度范围，即在该温度范围内所述难熔氧化物材料经历从绝缘体到导体的电阻率变化。所述磁场在所述变化期间和/或之后感应地加热所述难熔氧化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 氧化物 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种加热难熔氧化物材料的方法，所述方法包括应用高频电场来加热所述难熔氧化物材料以及应用磁场来加热所述难熔氧化物材料，所述高频电场将所述难熔氧化物材料基本加热至这样的温度范围，即在该温度范围内所述难熔氧化物材料经历从绝缘体到导体的电阻率变化，所述磁场在所述变化期间和/或之后感应地加热所述难熔氧化物材料。
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