[发明专利]单片多波长激光器件及其制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200310123374.4 | 申请日： | 2003-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1507123A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 辰巳正毅 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括制成在单个砷化镓(GaAs)衬底上的一个第一波长的激光部分(102)和一个第二波长的激光部分(103)，其特征在于，第一波长的激光部分(102)具有一个真实引导结构，而第二波长的激光部分(103)具有一个损耗引导结构。在这类多波长的激光器件中，与常规的器件相比较，当第一波长是在大约780nm的波长段中和第二波长是在大约650nm的波长段中时，由于第一波长的激光部分具有一个真实引导结构，所以波导中的损耗可以减小，并且工作电流可以减小。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 波长 激光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片多波长激光器件，该器件包括：制成在单个GaAs衬底的表面上的一个第一波长的激光部分和一个第二波长的激光部分，其特征在于，所述第一波长的激光部分包括一个真实引导结构，而所述第二波长的激光部分包括一个损耗引导结构。
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