[其他]高温正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料的制造方法在审
| 申请号： | 101985000008454 | 申请日： | 1985-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN85108454B | 公开（公告）日： | 1987-08-26 |
| 发明（设计）人： | 刘梅冬;贾连娣;赖希伟;张绪礼;陈志雄;周方桥;莫以豪 | 申请（专利权）人： | 华中工学院 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 华中工学院专利事务所 | 代理人： | 陈志凌;郑友德 |
| 地址： | 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
一种居里温度大于３１０℃的正温度系数热敏电阻半导体致密陶瓷材料，采用快速烧结技术，可有效地防止Ｐｂ挥发，控制晶粒长大，材料的室温电阻率可小于１０ |
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| 搜索关键词： | 高温 温度 系数 热敏电阻 半导体 陶瓷材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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