[发明专利]可重写光学数据存储媒体和这种媒体的应用无效
| 申请号: | 03820139.9 | 申请日: | 2003-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN1679095A | 公开(公告)日: | 2005-10-05 |
| 发明(设计)人: | L·范皮特森;M·H·R·兰克霍斯特;J·H·J·鲁森 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;王忠忠 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 描述一种用聚焦辐射束(10)高速记录的可重写光学数据存储媒体(20)。媒体(20)包括承载各层的堆叠(2)的基片(1),堆叠(2)包括第一辅助层(3)、第二辅助层(5)和相变材料的记录层(4),相变材料主要包括Sb以及Ga和In中的至少一种的合金。记录层(4)插在第一辅助层(3)和第二辅助层(5)之间。如果合金具有由以下公式确定的原子百分比组分:GaxInySbz和70=z=95及x+y+z=100,那么记录层(4)具有的结晶速度使其适合用于速度大于10m/s、在30℃条件下至少10年的保存寿命的稳定性的直接盖写高速记录数据。而且,记录层(4)具有相当低的媒体噪音。 | ||
| 搜索关键词: | 重写 光学 数据 存储 媒体 这种 应用 | ||
【主权项】:
1.一种利用聚焦辐射束的高速记录的可重写光学数据存储媒体,所述媒体包括承载各层的堆叠的基片,所述堆叠包括第一辅助层、第二辅助层和相变材料组成的记录层,所述相变材料主要包括Sb以及Ga和In中至少一种的合金,所述记录层插在所述第一辅助层和所述第二辅助层之间,其特征在于:所述合金具有由以下公式确定的原子百分比组分:GaxInySbz和70≤z≤95及x+y+z=100。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03820139.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:漆制剂
- 下一篇:制备SO2F2 和SO2ClF的方法
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法、数据系统、接收设备和数据读取方法
- 数据记录方法、数据记录装置、数据记录媒体、数据重播方法和数据重播装置
- 数据发送方法、数据发送系统、数据发送装置以及数据结构
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法及数据系统
- 数据嵌入装置、数据嵌入方法、数据提取装置及数据提取方法
- 数据管理装置、数据编辑装置、数据阅览装置、数据管理方法、数据编辑方法以及数据阅览方法
- 数据发送和数据接收设备、数据发送和数据接收方法
- 数据发送装置、数据接收装置、数据收发系统、数据发送方法、数据接收方法和数据收发方法
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置





