[发明专利]凹槽蚀刻过程的控制方法有效
| 申请号： | 03819341.8 | 申请日： | 2003-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1675517A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 维贾雅库马尔·C·韦努戈帕尔;安德鲁·J·佩里 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种针对内含沟道以及沟道中沉积有柱状材料的多层衬底的凹槽蚀刻过程的控制方法，这种方法包括：通过获得包括沟道的衬底的至少一个部分的测量的净反射光谱，来确定从衬底表面到衬底中的基准点的第一尺寸；计算来自构成衬底部分的n≥1个不同区域的反射率的加权非相干和，以作为衬底部分的建模的净反射光谱；确定能够在测量的净反射光谱和建模的净反射光谱之间提供紧密匹配的参数组；以及，从参数组中提取第一尺寸。该方法进一步包括，计算作为第一尺寸和自基准点测得的期望凹槽深度的函数的凹槽蚀刻过程的终点，以及从柱状材料的表面开始向下蚀刻直至到达终点。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽 蚀刻 过程 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凹槽蚀刻过程的控制方法，包括：对于内含沟道且所述沟道中沉积有柱状材料的多层衬底，通过以下步骤确定从所述衬底的表面到所述衬底中的基准点的第一尺寸：获得包括所述沟道的所述衬底的至少一个部分的测量的净反射光谱；计算来自构成所述衬底的所述部分的n≥1个不同区域的反射率的加权非相干和，以作为所述衬底的所述部分的建模的净反射光谱；确定能够在所述测量的净反射光谱和所述建模的净反射光谱之间提供紧密匹配的参数组；以及从所述参数组中提取所述第一尺寸；计算作为所述第一尺寸和自所述基准点测得的期望凹槽深度的函数的所述凹槽蚀刻过程的终点；以及从所述柱状材料的表面开始向下蚀刻直至到达所述终点。
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