[发明专利]GaN基半导体器件有效
| 申请号： | 03819204.7 | 申请日： | 2003-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1675809A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 后藤修;松本治;佐佐木智美;池田昌夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN－ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基半导体器件，包括：GaN衬底，具有低密度缺陷区和作为穿过衬底的高密度缺陷区的在所述衬底中以周期性平面排列出现在所述低密度缺陷区中的核部分；形成在所述GaN衬底上的GaN基化合物半导体层的多层结构；以及电极部分，具有设置在所述多层结构上的电极和形成在沉积于所述电极上的绝缘膜上并通过所述绝缘膜的开口电连接至所述电极的焊垫金属，所述电极部分设置在所述GaN衬底的除所述核部分以外的区域内的所述多层结构上。
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