[发明专利]基于三芳基甲烷的电荷迁移组合物及其在电子器件中的应用无效
| 申请号： | 03816415.9 | 申请日： | 2003-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1668703A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | N·海隆;N·S·杜拉;E·M·史密斯;Y·王 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C09B11/00 | 分类号： | C09B11/00;C09K11/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及电荷迁移组合物。本发明还涉及至少一层活性层含有这种电荷迁移组合物的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三芳基 甲烷 电荷 迁移 组合 及其 电子器件 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，它含有图1中式I表示的三芳基甲烷，其中：Ar1可相同或不同，且各自选自芳基和杂芳基；R1可相同或不同，且各自选自H、烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、杂芳烷基、CnHaFb和C6HcFd；或者相邻的R1基团可连接在一起形成5元或6元环；X可以相同或不同，各自选自R1、烯基、炔基、N(R1)2、OR1、OCnHaFb、OC6HcFd、CN、COOR1、卤原子、NO2和OH；n是1-12的整数；a、b、c和d为0或整数，使得a+b＝2n+1，c+d＝5；条件是所述的芳基上有至少一个选自F、CnHaFb、OCnHaFb、C6HcFd和OC6HcFd的取代基。
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