[发明专利]用于避免和清洁光学元件上污染物的装置,EUV石版印刷设备和方法有效
| 申请号： | 03805514.7 | 申请日： | 2003-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1639643A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 马尔科·温德沃斯基;弗兰科·斯蒂兹;巴斯·默腾斯;罗曼·克莱因 | 申请（专利权）人： | 卡尔赛斯半导体制造技术股份公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种当具有多层系统的光学元件在包含残余气体环境的真空封闭系统中被暴露在具有信号波长的辐射下时，防止该光学元件表面的污染物的方法，其中测量通过光电子发射从多层系统的被照射表面产生的光电流，并利用该光电流以调节残余气体的气体成分，从而可以根据光电流的至少一个下阈值和上阈值来改变气体的成分。本发明还涉及一种在照射时用于调节至少一个光学元件表面污染物的装置，以及一种EUV石版印刷设备和一种清洁光学元件的被碳污染的表面的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 避免 清洁 光学 元件 污染物 装置 euv 石版 印刷 设备 方法 | ||
【主权项】：
1、当具有多层系统的光学元件在含有残余气体环境的真空封闭系统中被曝露在具有信号波长的EUV辐射下时，用于防止该光学元件表面的污染物的方法，其中测量由多层系统的被照射的表面的光电子发射产生的光电流，并利用该光电流控制残余气体的气体成份，其特征在于，根据光电流的至少一个下阈值和上阈值来改变残余气体的气体成份。
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