[发明专利]PCRAM重写防止有效
| 申请号： | 03805239.3 | 申请日： | 2003-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1679116A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | J·莫雷;J·巴克 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由一个传感放大器读出一个可编程导体存储单元但不重写该存储单元的内容。如果该可编程触点存储单元具有一个接入晶体管，则该接入晶体管被断开以便在一个预定的时间量之后把该单元从该位线分离。该预定的时间量足够长，以便使得该单元的逻辑状态被传输到该位线，并且还足够短，以便在该传感放大器操作之前把该单元与该位线隔离。对于不使用接入晶体管的可编程触点存储单元来说，可在从传感放大器到隔离晶体管的位线的部分和从隔离晶体管到存储单元从位线的部分之间串行连接地放置一个隔离晶体管。该通常导通的隔离晶体管在该位线开始通过该可编程触点存储单元放电时间的预定的时间之后被断开，从而在一个传感操作开始之前把该可编程触点存储单元与该传感放大器隔离。 | ||
| 搜索关键词： | pcram 重写 防止 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：用于从一个可编程的导体随机存取存储器单元读出数据的一个装置，所说的装置包括：一个接入电路，用于在一个读取操作过程中把所说的存储单元耦合在一个编址和启动的字线和一个编址和启动位线之间；耦合到所说的编址和启动的位线的一个传感放大器，用于传感所说的存储单元的逻辑状态；以及防止电路，用于防止所说的存储单元响应所说的读取操作而被刷新。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微米技术有限公司，未经微米技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03805239.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
