[发明专利]在晶片处理中低电介质材料的钝化方法

摘要

公开了一种使用超临界二氧化碳钝化溶液来钝化二氧化硅基低k材料的方法，所述钝化溶液包括甲硅烷基化剂。所述甲硅烷基化剂优选是有机硅化合物，其包括具有五个碳原子的有机基团，例如六甲基二硅氮烷(HMDS)和氯三甲基硅烷(TMCS)以及它们的组合。依照本发明的实施方案，当所述二氧化硅基低k材料被暴露到所述超临界处理溶液时，其被保持在40到200摄氏度范围内的温度，优选在大约150摄氏度，和保持在1,070到9,000psi范围内的压力，优选在大约3,000psi的压力。依照本发明进一步的实施方案，用超临界二氧化碳清洗溶液同时清洗和钝化二氧化硅基低k材料。

主权项

1.一种处理低k表面的方法，包括：a.用超临界钝化溶液处理所述低k表面，所述超临界溶液包括超临界CO2和相当数量的包括有机基团的甲硅烷基化剂；和b.移除所述超临界溶液，其中所述低k表面至少部分地用所述有机基团钝化。