[发明专利]多晶薄膜的制造方法以及氧化物超导体的制造方法无效
| 申请号： | 03149857.4 | 申请日： | 2003-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1478919A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 饭岛康裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/08;H01B12/06;H01B13/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种多晶薄膜、将多晶薄膜沉积在多晶基体上的制造方法。多晶基体的温度设置在150℃－250℃范围内，离子束的离子束能量设置在175eV－225eV范围内，对于多晶基体的膜形成法线为50度－60度的入射角度照射离子束。通过此方法，通过沿着与多晶基体的膜形成表面平行的平面的晶体颗粒同轴而形成颗粒边界倾斜角度，该倾斜角度限制在20度或者更小，能稳定的制造出具有很强的晶体取向的多晶薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制造 方法 以及 氧化物 超导体 | ||
【主权项】：
1.一种在多晶基体的膜形成表面上制造含晶体颗粒的多晶膜薄的方法，上述的晶体颗粒含有通式Yb2O3所示的C型稀土晶体结构的氧化物晶体颗粒和等于或者小于30度的颗粒边界倾斜角度，上述倾斜角度是由通过晶体颗粒同轴形成的，该晶体颗粒沿着与多晶基材的膜形成表面平行的平面；该方法包括：将从含有多晶薄膜成分的目标中发射出来的组分颗粒进行沉积； 在将组成颗粒沉积的过程中，将多晶基体的温度设置在150℃-250℃范围内；从离子源中产生至少是Ar+、Kr+、Xe+中的至少一种的离子束；调节离子束的能量在175eV-225eV范围内；以对于膜形成表面上的法线呈现50-60度的入射角度，将已经调节了离子束能量的离子束照射到基体的膜形成表面上，同时，将上述的组成颗粒沉积在基体上。
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