[发明专利]等离子体反应室无效
| 申请号： | 03147485.3 | 申请日： | 2003-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1570773A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 梁忠棋;张昭升;黄木上;彭顺煌 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体反应室，其包含有一下电极以及一环形体，该下电极设于该等离子体反应室的底侧，且该下电极的上表面用来承载一基板，以进行一等离子体反应于该基板上，而该环形体以可移动的方式套合于该下电极的周围，其中当该下电极承载该基板以进行该等离子体反应时，该环形体移动至该下电极的上方，以将该等离子体反应的等离子体离子集中于该基板之上。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 反应 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体反应室，其包含有：一下电极，设于该等离子体反应室的底侧，且该下电极的上表面用来承载一基板，以进行一等离子体反应于该基板上；以及一环形体，以可移动的方式套合于该下电极的周围；其中当该下电极承载该基板以进行该等离子体反应时，该环形体移动至该下电极的上方，以将该等离子体反应的等离子体离子集中于该基板之上。
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