[发明专利]垂直磁记录介质有效
| 申请号： | 03147266.4 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1484219A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李丙圭;吴薰翔;李炅珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质包括：至少第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质，特征是第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料所形成。
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