[发明专利]薄膜磁头，生成该薄膜的方法以及使用该薄膜的磁盘装置

摘要

通过提供具有40或更小厚度的保护膜，提供了用于具有巨大容量的记录介质的具有高耐腐蚀性的磁阻薄膜磁头。因为磁头和介质的间距被显著地缩小，该薄膜适合用于具有高记录密度的记录介质。该磁阻式薄膜磁头被提供了，其特征在于，下列膜层至少在朝向记录介质的磁头表面形成：(A)下层膜，该下层膜由具有用选自分子式群的分子式表示的组成的薄膜组成，分子式群包括：分子式(i)：SiC_XH_YO_ZN_WF_TB_UP_V(其中，按照原子比，X＝0.5－26，Y＝0.5－13，Z＝0－6，W＝0－6，T＝0－6，U＝0－1，V＝0－1)以及分子式(ii)：SiH_YO_ZN_WF_TB_UP_V(其中Y＝0.0001－0.7，Z＝0－6，W＝0－6，T＝0－6，U＝0－1，V＝0－1)；以及(B)上层膜，该上层膜由具有下式表示组成的类金刚石薄膜组成：CH_aO_bN_cF_dB_eP_f(其中，a＝0－0.7，b＝0－1，c＝0－1，d＝0－1，e＝0－1，f＝0－1)，下层膜和上层膜的总厚度为40或更小。同样提供了用于生成该薄膜的方法，以及使用该薄膜的磁头装置。

主权项

1.具有包含磁阻元件的MR磁头部分的薄膜磁头，其特征在于，下列膜层至少在该MR磁头部分朝向记录介质的表面形成：(A)下层膜，该下层膜由具有用选自分子式群的分子式表示的组成的薄膜组成，分子式群包括：分子式(i)：SiCXHYOZNWFTBUPV 其中，按照原子比，X＝0.5-26，Y＝0.5-13，Z＝0-6，W＝0-6，T＝0-6，U＝0-1，V＝0-1，以及分子式(ii)：SiHYOZNWFTBUPV 其中，按照原子比，Y＝0.0001-0.7，Z＝0-6，W＝0-6，T＝0-6，U＝0-1，V＝0-1；以及(B)上层膜，该上层膜由具有下式表示组成的类金刚石薄膜组成：CHaObNcFdBePf 其中，按照原子比，a＝0-0.7，b＝0-1，c＝0-1，d＝0-1，e＝0-1，f＝0-1。