[发明专利]SiC/TiN超硬纳米多层膜及其制作工艺无效
| 申请号： | 03129543.6 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1470671A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李戈扬;劳技军;孔明;戴嘉维;张惠娟;顾明元 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SiC/TiN超硬纳米多层膜及其制作工艺，属于陶瓷薄膜领域。SiC/TiN超硬纳米多层膜由TiN层和SiC层交替沉积在金属或陶瓷的基体上组成，TiN层的厚度为4～50nm，SiC层的厚度为0.4～0.8nm，纳米多层膜总厚度为2～4μm。本发明SiC/TiN超硬纳米多层膜制作工艺首先将金属或陶瓷的基体表面作镜面抛光处理，然后通过在金属或陶瓷的基体上采用双靶溅射交替沉积TiN层和SiC层制取SiC/TiN超硬纳米多层膜，SiC和TiN材料采用溅射靶材提供。本发明选取了晶格匹配良好的两种氮化物和碳化物作为体系，使该种薄膜具有高硬度的优异力学性能，这种高硬度薄膜在工具、模具和其他耐磨工件上具有很大的实用价值，最高硬度可达60.5GPa，弹性模量达470GPa。 | ||
| 搜索关键词： | sic tin 纳米 多层 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种SiC/TiN超硬纳米多层膜，其特征在于，由TiN层(1)和SiC层(2)交替沉积在金属或陶瓷的基体(3)上组成，TiN层(1)的厚度为4～50nm，SiC层(2)的厚度为0.4～0.8nm，纳米多层膜总厚度为2～4μm。
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