[发明专利]读/写磁头磁道宽度性能测量方法无效

专利信息
申请号: 03126733.5 申请日: 2003-05-28
公开(公告)号: CN1553434A 公开(公告)日: 2004-12-08
发明(设计)人: 布鲁斯·伊莫;布莱恩·威尔逊 申请(专利权)人: 深圳易拓科技有限公司
主分类号: G11B5/09 分类号: G11B5/09;G11B20/10
代理公司: 深圳市创友专利代理有限公司 代理人: 彭家恩
地址: 518035广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种读/写磁头磁道宽度性能测量方法,包括用读/写磁头在相关磁介质表面的第一位置上写入一包括一第一波形的第一测试图样,然后读所述第一测试图样并储存;在一第一方向移动所述读/写磁头到第二位置,并写入一第二测试图样,所述第二测试图样包含一相异于所述第一波形的第二波形;在一第二方向移动所述读/写磁头到第三位置,在所述第三位置写入一第三测试图样,所述第三测试图样包含一相异于所述第一波形的第三波形;且所述第二测试图样与所述第三测试图样的波形不完全相同。将写入前后的信号特性进行比较,用测试程序或函数在多个磁道间距值上决定误差率性能,借此建立较适合的数据磁道间距。
搜索关键词: 磁头 磁道 宽度 性能 测量方法
【主权项】:
1.一种读/写磁头磁道宽度性能测量方法,所述方法包括以下步骤:(a)用读/写磁头在磁介质表面的第一位置上写入一包括一第一波形的第一测试图样;(b)读所述第一测试图样并测量信号的误差率;(c)在第一方向移动所述读/写磁头到距第一位置一定距离的第二位置,并写入一第二测试图样,所述图样包含一相异于所述第一波形的第二波形;(d)在第二方向移动所述读/写磁头到距第一位置一定距离的第三位置,并写入一第三测试图样,所述图样包含一相异于所述第一波形的第三波形;且(e)在所述第一位置读所述第一测试图样并测量信号的误差率。
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