[发明专利]深浮雕连续非球面微透镜高保真传递方法无效
| 申请号： | 03123572.7 | 申请日： | 2003-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1553224A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 邱传凯;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B3/08 | 分类号： | G02B3/08;G03F7/00;G06F7/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深浮雕连续非球面微透镜的高保真传递方法，根据实验结果提取出刻蚀各工艺参数对刻蚀结果的影响规律，建立起工艺参数影响刻蚀结果的数据库，然后根据该数据库建立大浮雕深度微光学元件高保真传递技术的工艺模型，最后通过该工艺模型提出ICP刻蚀各个工艺参数对刻蚀结果的影响关系，本发明解决了传统加工技术难以实现的深浮雕非球面微透镜制作问题，微光学元件面形保真度高。根据该工艺模型，可以有效提高制作深浮雕微光学元件的效率，降低了生产成本，并用于小批量生产微光学元件。 | ||
| 搜索关键词： | 浮雕 连续 球面 透镜 高保真 传递 方法 | ||
【主权项】：
1、深浮雕连续非球面微透镜高保真传递方法，采用电感耦合等离子体ICP刻蚀方法，其特征在于：(1)根据实验结果提取出刻蚀各工艺参数对刻蚀结果的影响规律，建立起工艺参数影响刻蚀结果的数据库；(2)根据该数据库建立大浮雕深度微光学元件高保真传递技术的工艺模型；(3)根据该工艺模型提出ICP刻蚀各个工艺参数对刻蚀结果的影响关系。
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