[发明专利]用于有机发光装置的半导体空穴注入材料无效
| 申请号： | 03123115.2 | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1452442A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | B·R·辛;李晓常;A·塞林格 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/26 | 分类号： | H05B33/26;H01B1/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机发光装置(OLED)中的具有空穴传递能力的氧化的电荷传递材料。电荷传递化合物包括多于两个的三芳胺基，或包括至少一个三芳胺基和至少一个芴基，并部分与氧化剂，例如路易斯酸络合，氧化剂的含量优选为约0.2到约20的重量％。得到的电荷传递材料显示出良好的空穴传递特性和成膜特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 发光 装置 半导体 空穴 注入 材料 | ||
【主权项】：
1.一种基本上无需聚合粘合剂而形成的，在有机发光装置中有空穴传递能力的氧化的电荷传递材料，包括包括多于两个三芳胺基，或包括至少一个三芳胺基和至少一个芴基的电荷传递化合物，以及与所述电荷传递化合物络合的氧化剂，其中所述部分电荷传递化合物不与上述氧化剂络合。
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