[发明专利]工作在多级电压上带有保护电路的I/O缓冲器有效

专利信息
申请号: 03120282.9 申请日: 2003-03-10
公开(公告)号: CN1444336A 公开(公告)日: 2003-09-24
发明(设计)人: 范仁永;肖照华 申请(专利权)人: 展讯通信(上海)有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/00;H01L27/02
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 任永武
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是一个带有保护电路的输入输出(I/O)缓冲器,它能够承受多级的工作电压,并且泄漏电流很小甚至没有。其输出部分由一个P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和两个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管串联组成,这个P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管受一个保护电路控制,用来防泄漏电流的产生。
搜索关键词: 工作 多级 电压 带有 保护 电路 缓冲器
【主权项】:
1.一种由输出使能信号控制和用于输出输入信号的输出缓冲器,其特征在于,包括:一个输出部分,含有一个P沟道金属氧化物半导体输出晶体管和两个N沟道金属氧化物半导体输出晶体管,相互串联在高压门限和低压门限之间,输出部分并有一个输出端在P沟道金属氧化物半导体输出晶体管和N沟道金属氧化物半导体输出晶体管之间,输出端输出一个PADI信号;一个保护电路,提供一个PGO信号给所述P沟道金属氧化物半导体输出晶体管的栅极,保护电路有一个输入PGI信号,当输出使能信号和缓存器的输入信号都为高时,PGI为低;保护电路还包括:a)一个传输门,接收PGI信号和选择地输出PGO信号。b)第一控制部分,激活所述的传输门,在输出使能为高时,使得PGI信号能通过传输门,到PGO信号上。c)一个短路P沟道金属氧化物半导体晶体管,连接在输出端和P沟道金属氧化物半导体输出晶体管的栅极之间,如果输出端电压高于高压门限,此短路P沟道金属氧化物半导体晶体管导通。
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