[发明专利]用于磁性存储装置的合成铁磁体参考层有效
| 申请号： | 03119936.4 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1442861A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | M·沙马;L·T·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于磁性存储装置的合成铁磁体参考层(14)。此参考层(14)具有第一和第二磁性材料层(50，52)，它们可操作地沿第一和第二磁性取向被磁化。位于磁性材料层(50，52)之间的隔离层(16)的尺寸被适当地确定，以使磁性层(50，52)沿相反方向磁耦合。各磁性材料层(50，52)具有基本相同的矫顽磁性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 存储 装置 合成 磁体 参考 | ||
【主权项】：
1.一种用于磁性存储装置的参考层，其包括：第一磁性材料层(50)，其可操作地沿第一磁性取向和第二磁性取向被磁化；第二磁性材料层(52)，其可操作地沿第一磁性取向和第二磁性取向被磁化；上述第一层(50)和第二层(52)具有基本相同的矫顽磁性；和在所述第一层(50)和第二层(52)之间的隔离层(16)，该隔离层的尺寸适当地确定成，以使所述第一层(50)和第二(52)层沿相反的方向磁耦合。
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