[发明专利]高纯铝单层晶体凝固提纯装置

摘要

一种高纯铝单层晶体凝固提纯装置属于铸造金属领域。本发明主要包括：炉壳、熔化装置、结晶装置、牵引机构和固定支架，其连接方式为：熔化装置设置于炉膛上部，由固定支架固定，结晶装置置于熔化装置下方，熔化装置的导液管悬于结晶装置的上方，结晶装置固定于固定支架上，通过螺栓与牵引机构相连，牵引机构置于炉壳外，通过连杆与炉壳和结晶装置配合。本发明结构简单，工艺合理，简化了晶体生长过程中温度场和浓度场的分布状况，提高了晶体生长界面的可控制性，而且晶体生长速度最高可达20cm/h，生产效率比常规偏析法提高30％，提纯纯度可达5N5。成型的铝锭为板状，可以采用轧机刀具切断，减少了大直径铝锭由于锯切带来的污染。

主权项

1、一种高纯铝单层晶体凝固提纯装置，主要包括：炉壳(1)、熔化装置(2)、结晶装置(3)、牵引机构(4)和固定支架(5)，其特征在于连接方式为：熔化装置(2)设置于炉膛上部，由固定支架(5)固定，结晶装置(3)置于熔化装置(2)下方，熔化装置(3)的导液管悬于结晶装置(3)的上方，结晶装置(3)固定于固定支架(5)上，通过螺栓与牵引机构(4)相连，牵引机构(4)置于炉壳(1)外，通过连杆与炉壳(1)和结晶装置(3)配合。