[发明专利]低调制电压动态范围的场发射寻址结构无效
| 申请号： | 03112816.5 | 申请日： | 2003-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1431676A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 雷威;张晓兵 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J29/46 |
| 代理公司： | 南京经纬专利代理有限责任公司 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 低调制电压动态范围的场发射寻址结构涉及场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构实现低调制电压动态范围的结构。该结构由上介质平板和下介质平板叠放在一起所组成，在上介质平板上设有上介质锥形孔，在下介质平板上设有下介质锥形孔，在上介质平板的上表面即上介质锥形孔的小孔端设有调制电极，在下介质平板的上表面即下介质锥形孔的小孔端设有寻址电极，其中上介质平板上的上介质锥形孔与下介质平板上的下介质锥形孔的中心线不在同一条中心线上。本发明提供了一种低场发射显示屏调制电压寻址结构，通过控制介质表面二次电子的迁移，达到低调制电压寻址的目的的低调制电压动态范围的场发射寻址结构。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 电压 动态 范围 发射 寻址 结构 | ||
【主权项】：
1、一种低调制电压动态范围的场发射寻址结构，由介质平板、介质层所组成，其特征在于该结构由上介质平板(13)和下介质平板(12)叠放在一起所组成，在上介质平板(13)上设有上介质锥形孔(17)，在下介质平板(12)上设有下介质锥形孔(16)，在上介质平板(13)的上表面即上介质锥形孔(17)的小孔端设有调制电极(15)，在下介质平板(12)的上表面即下介质锥形孔(16)的小孔端设有寻址电极(14)，其中上介质平板(13)上的上介质锥形孔(17)与下介质平板(12)上的下介质锥形孔(16)的中心线不在同一条中心线上。
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