[发明专利]发光装置和制造该发光装置的方法及操作制造设备的方法有效
| 申请号： | 03106309.8 | 申请日： | 2003-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1440221A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;村上雅一;川上奈绪美;大谷久 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H05B33/12;C23C14/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 由于TFT布置在有源矩阵发光装置中EL层的下面，发明人已经预计到采用电子枪淀积作为形成EL层上的金属层的方法是没有问题的。然而，由于TFT对电子枪产生的离化的蒸汽颗粒、二次电子、反射的电子等非常敏感，虽然在EL层中几乎没有观察到破坏，但是当采用电子枪淀积时在TFT上发现了严重的破坏。本发明提供了具有优越TFT性能(开电流、关电流、Vth、S值等)的有源矩阵发光装置，其中有机化合物层和金属层(阴极或阳极)通过电阻加热形成，对TFT有最小的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 制造 方法 操作 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光装置的方法，包括：在衬底之上形成薄膜晶体管；形成具有阴极、阳极、及阴极和阳极之间有机化合物层的发光元件，所述发光元件元件连接到薄膜晶体管，其中有机化合物层和金属材料形成的阴极由蒸汽淀积形成，其中电极材料通过电阻加热被加热。
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