[发明专利]多个存储单元共用存取元件的薄膜磁性体存储装置无效
| 申请号： | 03104320.8 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1459791A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 大石司;石川正敏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 构成MTJ存储单元的隧道磁电阻元件(TMR)，连接在位线(BL)和搭接片(SL)之间。各存储单元列中，搭接片(SL)为同一行块内的多个隧道磁电阻元件(TMR)所共有。存取晶体管(ATR)连接在搭接片(SL)和接地电压(GND)之间，响应对应的字线(WL)导通与截止。分别在给以连接于同一搭接片的存储单元群为对象的、选择存储单元施加预定磁场的前后进行数据读出，根据对数据读出结果的比较，从选择存储单元读出存储数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 共用 存取 元件 薄膜 磁性 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储装置，其中设有：行列状布置的、沿行方向分割为多个行块的多个存储单元，各所述存储单元，包含其电阻按照以磁方式写入的存储数据改变的隧道磁电阻元件；还设有分别对应于存储单元列沿列方向布置的多条第一信号线，以及在各所述存储单元列中，分别对应于所述多个行块布置的多条第二信号线；各所述隧道磁电阻元件，电气连接于所述多条第一和第二信号线中与之对应的一条第一信号线和一条第二信号线之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03104320.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
