[发明专利]一种监测激光再结晶制程的方法有效
| 申请号： | 03101580.8 | 申请日： | 2003-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1517697A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 林昆志 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/25 | 分类号： | G01N21/25;G01N21/86;G02F1/13;G01J3/28;G01J9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾静环;宋莉 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是先在基底上形成非晶硅薄膜，再利用具有照射间距的激光脉冲沿第一方向照射该薄膜使再结晶成为多晶硅薄膜，然后将测量光源聚焦成为直径小于照射间距的微光点，并使该微光点沿该第一方向且对该基底具有相对移动距离来照射该多晶硅薄膜以取得光谱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 激光 再结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用光学测量仪监测激光再结晶制程的方法，该方法包括下列步骤：提供基底，且该基底的表面包含利用该激光再结晶所形成的多晶硅薄膜；聚焦该光学仪器所提供的测量光源成为具有直径的微光点，使该微光点沿该第一方向照射该多晶硅薄膜以取得至少一测量光谱，且该微光点对该基底具有相对移动距离；以及进行比较步骤以比较该测量光谱以及设定光谱；其中该微光点的该直径小于该照射间距，且该微光点对该基底的该相对移动距离小于该照射间距。
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