[发明专利]低噪声放大器无效
| 申请号： | 02811481.7 | 申请日： | 2002-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1515070A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | P·安德雷尼;H·斯杰兰德 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/193 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 一种低噪声放大器，它包括：CMOS晶体管(M1)，所述CMOS晶体管具有栅极、源极和漏极，栅极端子通过第一阻抗匹配网络(Lg)连接到放大器的输入端，源极端子通过第二阻抗匹配网络(Ls)连接到信号接地线；以及连接在晶体管(M1)的栅极端子和源极端子之间的容性阻抗(Cd)。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
1.一种低噪声放大器，它包括：CMOS晶体管，所述CMOS晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子，所述栅极端子通过第一阻抗匹配网络连接到所述放大器的输入端，而所述源极端子通过第二阻抗匹配网络连接到信号接地线；以及，容性阻抗，它连接在所述晶体管的所述栅极端子和所述源极端子之间。
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