[发明专利]MgB2高密度超导体块状体的制备方法,最终产品及应用无效

专利信息
申请号: 02809161.2 申请日: 2002-05-10
公开(公告)号: CN1537335A 公开(公告)日: 2004-10-13
发明(设计)人: 乔瓦尼·琼基;塞尔焦·切雷萨拉 申请(专利权)人: 艾迪森股份公司
主分类号: H01L39/24 分类号: H01L39/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 冯谱
地址: 意大*** 国省代码: 意大利;IT
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 描述了一种方法,用于制备密度接近理论值超导体块状体MgB2,包括以下阶段:晶体硼与活化粉末的形成机械活化;所述粉末多孔锭料的形成;多孔硼锭料和块状体前体金属镁在容器中组合,并从而在在惰性气体或低氧含量气氛中将它们密封;在硼和镁以上组合时以高于700℃的温度的热处理时间大于30分钟,然后通过活化的晶体硼粉末浸透液相镁。
搜索关键词: mgb sub 高密度 超导体 块状 制备 方法 最终 产品 应用
【主权项】:
1.用于制备MgB2超导体块状体的一种方法,其密度接近理论值,该方法包括以下步骤:a)以活化粉末的形成机械活化晶体硼;b)晶体硼的活化粉末多孔锭料的形成;c)多孔硼锭料和金属镁块状体前体在容器中组合,并在惰性气体或低氧含量气氛中将它们密封;d)对按以上组合的硼和镁以高于700℃的温度热处理,时间大于30分钟,然后通过活化的晶体硼粉末浸透液相镁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾迪森股份公司,未经艾迪森股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02809161.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top