[发明专利]MgB2高密度超导体块状体的制备方法,最终产品及应用无效
申请号: | 02809161.2 | 申请日: | 2002-05-10 |
公开(公告)号: | CN1537335A | 公开(公告)日: | 2004-10-13 |
发明(设计)人: | 乔瓦尼·琼基;塞尔焦·切雷萨拉 | 申请(专利权)人: | 艾迪森股份公司 |
主分类号: | H01L39/24 | 分类号: | H01L39/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 意大*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | 描述了一种方法,用于制备密度接近理论值超导体块状体MgB2,包括以下阶段:晶体硼与活化粉末的形成机械活化;所述粉末多孔锭料的形成;多孔硼锭料和块状体前体金属镁在容器中组合,并从而在在惰性气体或低氧含量气氛中将它们密封;在硼和镁以上组合时以高于700℃的温度的热处理时间大于30分钟,然后通过活化的晶体硼粉末浸透液相镁。 | ||
搜索关键词: | mgb sub 高密度 超导体 块状 制备 方法 最终 产品 应用 | ||
【主权项】:
1.用于制备MgB2超导体块状体的一种方法,其密度接近理论值,该方法包括以下步骤:a)以活化粉末的形成机械活化晶体硼;b)晶体硼的活化粉末多孔锭料的形成;c)多孔硼锭料和金属镁块状体前体在容器中组合,并在惰性气体或低氧含量气氛中将它们密封;d)对按以上组合的硼和镁以高于700℃的温度热处理,时间大于30分钟,然后通过活化的晶体硼粉末浸透液相镁。
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