[发明专利]非直角MRAM组件无效
| 申请号： | 02804075.9 | 申请日： | 2002-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1488146A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | H·霍恩格斯米德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;王勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁性随机存取内存(100)与其制造方法，其具有与位线(122)成非直角的字符线(112)，其结果为较低的电流与电力消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 直角 mram 组件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体内存装置，系包含：至少一第一导线；至少一第一内存储存胞元，系设置在该第一导线之上，该第一内存储存胞元具有依据一星状曲线之材料特性；以及至少一第二导线，系设置在该第一内存储存胞元之上，其中该第二导线系与该第一导线成非直角的方式而设置。
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