[发明专利]MRAM位线字符线结构

摘要

一记忆装置，系包含形成一交错点数组的复数个位线与复数个字符线。该数组中之每个交错点上各被设置一记忆胞元。一位译码器与一字符译码器系分别被连至与该位线与字符线。一第一切换电路序列系被连至相邻的位线并沿其而配置，进以导致数组沿着此相邻位线而区分成数个区段，以致于一被缩短之规划电流路径系被提供，其降低了通过此装置之电阻。

主权项

1.一记忆装置，系包含：复数个位线；复数个字符线，此复数个字符线系与该复数个位线形成一交错点数组；复数个记忆胞元，其中此复数个记忆胞元中之其一系位于该数组中的各个交错点上；一连接于该位线之位译码器，此位译码器系包含连接于该位线的电流源与电流汇池；一连接于该字符线之字符译码器，此字符译码器系包含连接于该字符线的电流源与电流汇池；以及一连接于两相邻位线之第一切换电路序列，此第一切换电路序列系沿着该相邻位线而配置，进以使得该数组沿着此相邻位线而被分成数个区段；当对应的位与字符线被供以一规划电流时，位于对应交错点上的记忆胞元系藉其而被选取以供写入。