[发明专利]红外检测元件、制造这种元件的方法及温度测量装置无效
| 申请号： | 02800474.4 | 申请日： | 2002-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1457423A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤茂美;山下秀人;萩原努 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G01J1/02 | 分类号： | G01J1/02;G01J5/02;G01J5/16;A61B5/00;H01L27/14;H01L35/32;H01L37/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,李峥 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够以低成本精确测量温度的热电堆红外检测元件。提供一种使用氮化硅膜作为第一结构层22构成薄膜部分4的结构的红外检测元件1。与氧化硅不同，第一结构层22有拉伸方向的内部应力，并这样能够防止出现弯曲。而且，使用第一结构层22作为元件的隔离区在硅基片2中能够形成二极管D1和D2，这样能够防止由于环境的变化所引起的热电堆12的变形，以便抑制热电堆12的测量误差。此外，能够提供可使用二极管D1和D2精确检测冷接点温度的高精度红外检测元件。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 检测 元件 制造 这种 方法 温度 测量 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造红外检测元件的方法，包括以下步骤：在半导体基片上形成由氮化硅制成的第一结构层；在半导体基片的周边部分中对第一结构层构图以便在半导体基片的表面上形成PN结；在第一结构层上形成多个热电偶，使得冷接点位于半导体基片的周边部分，并且热接点位于半导体基片的中心部分，并且串联这些热电偶以形成热电堆；以及从下面蚀刻出半导体基片的中心部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02800474.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
