[发明专利]用于存储阵列中温度变化的写电流补偿有效
| 申请号： | 02154900.1 | 申请日： | 2002-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1423280A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰;M·K·巴塔查里亚 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器件(50)包括一个存储阵列(100),它具有一个基片、一个被安置在该基片上的一些存储单元(130)的阵列、连接到这些存储单元(130)的行导线(110)和连接到这些存储单元(130)的列导线(120)。该存储器件(50)还包括响应存储阵列(100)中温度改变而产生可变写电流的电流源(700、800)。为适应这些存储单元(130)的矫顽磁力随阵列的温度改变而改变,要产生可变写电流。一个电流源(700、800)可以包括一个温度传感器(750、850),它提供一个连续的、立即的到当前传感器的输出以保证准确的写电流调节。不需要为校准电流源而暂停存储器件(50)的操作。另外,电流源(700、800)提供一个对写电流的准确调节,因为温度传感器为产生输出所使用的温度可以与产生写电流的同时被取用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 阵列 温度 变化 电流 补偿 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件(50)，包括：存储阵列(100)，包括：一个基片；一个阵列(100)的存储单元(130)，安置在该基片上；许多连接到这些存储单元(130)的第一导线(110)和许多连接到这些存储单元(130)的第二导线(120)，其中，在这些存储单元(130)处这些第一导线(110)与这些第二导线(120)交叉；第一电流源(700、800)，有选择地连接到这些第一导线(110)并能够提供第一写电流到一些所选的第一导线(110)，其中，该第一电流源(700、800)包括：第一温度传感器(750、850)，为读出该存储阵列(100)的温度而安置，其中，该第一温度传感器(750、850)提供一个输出以调节第一写电流来补偿该存储阵列(100)中的温度的改变；以及第二电流源(700、800)，有选择地连接到第二导线(120)。
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