[发明专利]电可擦除可编程ROM结构更新机制的感测方法无效
| 申请号： | 02149393.6 | 申请日： | 2002-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1459800A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周铭宏;陈家兴 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电可擦除可编程ROM结构更新机制的感测方法，适于侦测闪存的存储单元的更新必要性，提供一第一参考存储单元，再测量其电流。然后，提供一第二参考存储单元，再测量其电流。然后，测量闪存中的一存储单元的单元电流，比较此一单元电流与第一、第二参考存储单元的电流。之后，当单元电流大于第一参考存储单元的电流且小于第二参考存储单元的电流时，更新那个存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 可编程 rom 结构 更新 机制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电可擦除可编程ROM结构更新机制的感测方法，适于侦测一闪存的存储单元的更新必要性，其特征在于：包括：提供一第一参考电流；提供一第二参考电流；测量该闪存的至少其中的一存储单元的一单元电流；比较测得的该单元电流与该第一参考电流；比较测得的该单元电流与该第二参考电流；当测得的该单元电流大于该第一参考电流且小于该第二参考电流时，更新该存储单元，其中该第一参考电流代表一低存储单元逻辑值，以及该第二参考电流代表一高存储单元逻辑值。
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