[发明专利]用于电子发射源的碳纳米管及其制造方法无效
申请号: | 02147239.4 | 申请日: | 2002-10-18 |
公开(公告)号: | CN1420518A | 公开(公告)日: | 2003-05-28 |
发明(设计)人: | 森川光明 | 申请(专利权)人: | 则武伊势电子株式会社;诺利塔克股份有限公司 |
主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;C01B31/02;H01J9/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈长会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在用于电子发射源的碳纳米管中,碳纳米管具有由多个石墨层形成的圆柱体形状。该石墨层由碳的六元环形成。该圆柱体的外径是0.6-100nm。沿着该圆柱体的轴形成的中空部分的直径是圆柱体外径的0.1-0.9倍,且中空部分具有开口远端部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 电子 发射 纳米 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于电子发射源的碳纳米管,其中所述碳纳米管(121a)具有由多个石墨层形成的圆柱体形状,所述石墨层由碳的六元环组成,和该圆柱体的外径是0.6-100nm,沿着该圆柱体的轴形成的中空部分的直径是圆柱体外径的0.1-0.9倍,且中空部分具有开口远端部分。
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