[发明专利]光刻装置,器件制造方法和光学元件的制造方法有效
申请号: | 02145591.0 | 申请日: | 2002-12-02 |
公开(公告)号: | CN1448795A | 公开(公告)日: | 2003-10-15 |
发明(设计)人: | W·J·波克斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 章社杲 |
地址: | 荷兰维尔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用低CTE材料制造光刻装置中的光学元件,所述材料在所述元件的制造温度和其平均工作温度的之间的温度处具有CTE过零值。 | ||
搜索关键词: | 光刻 装置 器件 制造 方法 光学 元件 | ||
【主权项】:
1.一种光刻投射装置,包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统;其特征在于在所述装置中在使用中承受热负荷的至少一个部件由低CTE材料制成,所述材料的热膨胀系数在所述部件的制造温度和平均工作温度之间的温度处具有过零值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02145591.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。