[发明专利]场致发射型电子源无效
| 申请号： | 02142595.7 | 申请日： | 2002-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1417827A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 菰田卓哉;竹川宜志;相泽浩一;幡井崇;栎原勉;本多由明;渡部祥文;马场徹 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J37/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e－)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 | ||
【主权项】：
1.一种场致发射型电子源，包括：下部电极、形成在所述下部电极上的由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成的电子通过层和形成在所述电子通过层上的表面电极，穿过所述电子通过层的电子穿过表面电极被发射出，其特征在于：所述表面电极的至少一部分由层状的导电性碳化物层或导电性氮化物层构成。
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