[发明专利]滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置无效
申请号: | 02133101.4 | 申请日: | 2002-09-30 |
公开(公告)号: | CN1414135A | 公开(公告)日: | 2003-04-30 |
发明(设计)人: | 汤宝寅;王浪平;王小峰;孙继武;王松雁 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利事务所 | 代理人: | 毕志铭 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法及装置,它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理的方法和装置。该方法运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术,并使工件在10~60KV的高电位下匀速自转。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1-1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1-2)组成。在固定盘(1-1)上开有与被处理工件K相吻合的通孔(1-3),动盘(1-2)的上面与被处理工件K相接触。该方法和设备解决了现有技术和设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。 | ||
搜索关键词: | 滚珠 全方位 离子 注入 沉积 表面 强化 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理方法,其特征在于运用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术;所采用的设备是多功能等离子体浸没离子注入装置和强流阴极弧金属等离子体源;工件放在多功能等离子体浸没离子注入装置内的高电压慢速旋转靶台上,使工件处于10~60KV的高电位,并在靶台上匀速自转。
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