[发明专利]薄膜磁头和磁盘装置无效
| 申请号： | 02132218.X | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1420489A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 工藤一惠;冈田泰行;府山盛明;丸山洋治;及川玄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜磁头，具有下部磁极、与下部磁极相对设置的上部磁极、以及在上下部磁极之间设置的磁间隙膜，上部磁极具有与磁间隙膜相对一侧由溅镀法成膜的第1磁性膜和在第1磁性膜上由电镀法成膜的第2磁性膜，而且第1磁性膜的饱和磁通密度比第2磁性膜的饱和磁通密度大。由上述构成的薄膜磁头，由于形成了安定的磁芯，所以可以产生较强的磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 磁盘 装置 | ||
【主权项】：
1.薄膜磁头，具有下部磁极、与该下部极极相对设置的上部磁极和在上下部磁极之间设置的磁间隙膜，其特征是上部磁极具有与磁间隙膜相对一侧由溅镀法成膜的第1磁性膜和在第1磁性膜上由电镀法成膜的第2磁性膜，而且第1磁性膜的饱和磁通密度比第2磁性膜的饱和磁通密度大。
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