[发明专利]对低于电路中最低电位的模拟信号采样转换的方法有效

专利信息
申请号: 02131732.1 申请日: 2002-09-23
公开(公告)号: CN1485988A 公开(公告)日: 2004-03-31
发明(设计)人: 丁然 申请(专利权)人: 珠海炬力集成电路设计有限公司
主分类号: H03M1/00 分类号: H03M1/00;H03M1/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 519085广东省珠海市金鼎*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种对低于电路中最低电位的模拟信号采样转换的方法,其特征在于:本发明方法包括:选用PMOSFET,并设置一块偏置电路,以造出两个电平,可以使得PMOSFET在相应的时间段分别处在导通和关断两种状态。一个电路包括了两个PMOSFET管m1、m2,两个开关SW1、SW2和两个电容Cs、Ci以及一个运算放大器A1,还有一块偏置电路U1,用以产生m1、m2的栅电压,并给出时钟信号。其中对于SW1的实现也只能采用PMOSFET,从而防止发生钳位。
搜索关键词: 低于 电路 最低 电位 模拟 信号 采样 转换 方法
【主权项】:
1、对低于电路中最低电位的模拟信号采样转换的方法,其特征在于:本发明方法包括:选用PMOSFET,并设置一块偏置电路,以造出两个电平,可以使得PMOSFET在相应的时间段内分别处在导通和关断两种状态。
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