[发明专利]对低于电路中最低电位的模拟信号采样转换的方法有效
申请号: | 02131732.1 | 申请日: | 2002-09-23 |
公开(公告)号: | CN1485988A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
发明(设计)人: | 丁然 | 申请(专利权)人: | 珠海炬力集成电路设计有限公司 |
主分类号: | H03M1/00 | 分类号: | H03M1/00;H03M1/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 519085广东省珠海市金鼎*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种对低于电路中最低电位的模拟信号采样转换的方法,其特征在于:本发明方法包括:选用PMOSFET,并设置一块偏置电路,以造出两个电平,可以使得PMOSFET在相应的时间段分别处在导通和关断两种状态。一个电路包括了两个PMOSFET管m1、m2,两个开关SW1、SW2和两个电容Cs、Ci以及一个运算放大器A1,还有一块偏置电路U1,用以产生m1、m2的栅电压,并给出时钟信号。其中对于SW1的实现也只能采用PMOSFET,从而防止发生钳位。 | ||
搜索关键词: | 低于 电路 最低 电位 模拟 信号 采样 转换 方法 | ||
【主权项】:
1、对低于电路中最低电位的模拟信号采样转换的方法,其特征在于:本发明方法包括:选用PMOSFET,并设置一块偏置电路,以造出两个电平,可以使得PMOSFET在相应的时间段内分别处在导通和关断两种状态。
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