[发明专利]容短接存储单元的电阻交叉点阵列有效
| 申请号： | 02124896.6 | 申请日： | 2002-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1393887A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | J·H·尼克尔 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种数据存储装置(8)，包括一个电阻交叉点存储单元(12)的阵列(10)。每个存储单元包括一个存储元(50)以及在该存储元(50)上的导电硬掩蔽材料(52)。数据存储装置(8)可以是一个磁性随机存取存储器(MRAM)装置。 | ||
| 搜索关键词： | 容短接 存储 单元 电阻 交叉点 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种数据存储装置(8)，包括一个电阻交叉点存储单元(12)的阵列(10)，每个存储单元(12)包括一个存储元(50)以及在存储元(50)上的导电硬掩蔽材料(52)。
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