[发明专利]减少漏电流对动态电路元素的效应之方法

摘要

一个动态随机储存储存器(DRAM)，使用一个多位维结构解决了长久以来紧密节距的问题。解码程序设计上的改进，更降低了这种储存器的总面积。本发明提供了一个新颖的存取储存器的程序，具有内部储存。完全更新而使用者完全不察觉的功能。藉着使用这种储存架构，可以在不牺牲存储密度的情况下提高DRAM的性能，而对整个系统支持的要求也明显地简化。

主权项

1.一种将2M个单数位存储器单元组织为2N个模块的方法，其中M是N乘I乘J的乘积，而N、I和J是正整数，该方法包含步骤：(a)将该2M个单数位存储器单元分成N对，每对包含两个对称模块，其中每个模块包含{J(j)xI}个单数位存储器单元，并且其中j＝1、2、3、…、N，并且正整数I代表一个储存数据的位长；(b)将每个模块内的单数位存储器单元安排到J(j)xI二维阵列中，并且将每个I单存储器单元连接到第一位线方向内的第一级位线，以及每个J(j)单存储器位上第一阶字线，其中每个第一阶字线与第一级位线会在该单数位存储器单元之一上交叉；(c)将每个模块内的每个第一级位线连接至对应的多模块第一级位线，即多模块位线i其中i＝1、2、3、…I，其中多模块第一级位线被安排在与第一位线方向不同的第二位线方向上，并且每个都连接到对应的第一阶读出放大器i，其中i＝1、2、3、…I；以及(d)用一个模块选择信号来激活一个该模块内(即模块n，其中n为1到N的正整数)的一个J(j)第一阶字线，并且运用I个读出放大器来探测来自每个该模块n以及该模块n的相对应的对称模块的第一阶I位线的存储器单元信号，以及读取由此形成的数据，从而使N模块共享该I个读出放大器。(e)对每一个该储存单元形成一个晶体管来和该第一极位线中之一相连接并在该晶体管的门极上加上偏值电压来阻隔当晶体管在储备状态时，该门极所控制的流经通道的漏电流。