[发明专利]在铝酸盐系长余辉荧光粉表面包覆二氧化硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 02116328.6 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1371957A | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张中太;张俊英;彭劲松;唐子龙 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在铝酸盐系长余辉荧光粉表面包覆二氧化硅薄膜的方法,属陶瓷材料技术领域。其特征是首先称取占长余辉荧光粉质量百分含量为1－20%的正硅酸乙酯,溶解于乙醇和去离子水中,在50～90℃热水浴中加热,使溶液水解成为透明的正硅酸乙酯溶胶;将长余辉荧光粉浸入正硅酸乙酯溶胶中,于50～100℃加热,使正硅酸乙酯溶胶完全变为凝胶把包覆后的混合物置于烘箱中,于50～100℃烘干;将烘干的包覆粉置于烧结炉中,在300～500℃保温1～5小时,冷却即可。本方法可显著提高长余辉荧光粉的耐水性能,抑制其在含水环境中的水解。本发明工艺简单,成本低,适合于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铝酸盐系长 余辉 荧光粉 表面 二氧化硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在铝酸盐系长余辉荧光粉表面包覆二氧化硅薄膜的方法，其特征在于：该方法依次包括以下步骤：(1)水解：称取占长余辉荧光粉质量百分含量为1-20％的正硅酸乙酯，溶解于乙醇和去离子水中，正硅酸乙酯∶乙醇∶去离子水为1∶1∶1～1∶6∶10(体积比)，用硝酸调节pH值为3～6，在50～90℃热水浴中加热3～20分钟，使溶液水解成为透明的正硅酸乙酯溶胶；(2)包覆：将长余辉荧光粉浸入上述正硅酸乙酯溶胶中，于50～100℃边加热边搅拌，待荧光粉膨胀，疏松，正硅酸乙酯溶胶完全变为凝胶时，停止加热；(3)烘干：把包覆后的混合物置于烘箱中，于50～100℃保温2～13小时烘干；(4)热处理：将烘干的包覆粉置于烧结炉中，300～500℃保温1～5小时，冷却取出，即可得包覆了耐水性二氧化硅薄膜的荧光粉。
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