[发明专利]有机超薄阻蚀膜的复合自组装方法无效
| 申请号： | 02113026.4 | 申请日： | 2002-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1164373C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 顾宁;郭志睿;马全红;王怡红;徐丽娜 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D7/14;B05D1/18;C09D183/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 有机超薄阻蚀膜的复合自组装方法是一种超薄膜制备方法，该方法以含Si-H键的有机聚硅氧烷作为分子自组装膜的主体成份，再以小分子化合物进行填入，自组装成致密有机超薄阻蚀层；具体的组装方法为：a、将金属基底进行预处理；b、在金属基底上自组装聚硅氧烷膜：将金属基底浸入以二对氯苯乙烯基二氯化铂或者二苯乙烯基二氯化铂作为铂金属有机促进剂的含Si-H键的有机聚硅氧烷组装液中进行自组装，c、填入小分子巯基化合物：将组装了Si-H键的有机聚硅氧烷薄膜的金属基底再浸入含小分子巯基化合物的组装液中12小时～24小时，通过巯基与金属基底的空位强烈的化学吸附作用进行填入式复合组装；其中，小分子巯基化合物为各种巯基烷烃衍生物HS(CH2)nR。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 超薄 阻蚀膜 复合 组装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机超薄阻蚀膜的复合自组装方法，其特征在于该方法以含Si-H键有机聚硅氧烷作为分子自组装膜的主体成份，再以小分子巯基化合物进行填入，自组装成致密有机超薄阻蚀层；具体的组装方法为：a、将金属基底进行预处理：在70℃～80℃的温度条件下，将金属基底放入有表面活性剂的处理液中，超声振荡30分钟，进行除油，然后洗涤、吹干，使表面洁净；b、在金属基底上自组装聚硅氧烷膜：将金属基底浸入以二对氯苯乙烯基二氯化铂或者二苯乙烯基二氯化铂作为铂金属有机促进剂的含Si-H键的有机聚硅氧烷组装液中进行自组装，自组装的时间为2～3小时；c、填入小分子巯基化合物：将组装了Si-H键的有机聚硅氧烷薄膜的金属基底再浸入含小分子巯基化合物的组装液中12小时～24小时，通过巯基与金属基底的空位强烈的化学吸附作用进行填入式复合组装；其中，小分子巯基化合物为各种巯基烷烃衍生物HS(CH2)nR，其中n为大于12的整数，R是羧基、氨基、烷氧基、酰胺基、卤素、氰基基团。
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