[发明专利]离子束增强磁控溅射渗镀涂层装置及工艺无效
申请号: | 02110192.2 | 申请日: | 2002-03-20 |
公开(公告)号: | CN1401816A | 公开(公告)日: | 2003-03-12 |
发明(设计)人: | 唐宾;潘俊德;徐重;田林海 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人: | 庞建英 |
地址: | 030003 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明离子束增强磁控溅射渗镀涂层装置及工艺属于金属材料表面改性的范畴。是一种非平衡磁控溅射和离子注入相结合的技术,在非平衡磁控溅射镀膜的装置中,加入一个中低能束离子源,从磁控溅射源发射出欲渗镀的金属及其合金的高能量、高离化率的金属离子流,在工件负偏压下的吸引下,快速沉积于预加热的工件表面,然后由中低能离子束注入氮和碳,使其沉积层与工件基体形成一定厚度的扩散层,在较低温度工件表面快速形成金属碳、氮化合物的表面改性层。 | ||
搜索关键词: | 离子束 增强 磁控溅射 涂层 装置 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种离子束增强磁控溅射渗镀涂层装置其特征在于,是在可以抽取真空,并能充入气体介质的真空容器(1)中,设置阴极转动系统,非平衡磁控溅射系统,中低能离子源系统,工件予加热系统,同时配备有抽气系统和供气系统,其阴极转动系统由工件托盘(9)、工件(10)和转动机构(6)组成,非平衡磁控溅射系统由磁控溅射靶源(3)、(11)和真流电源(4)、(13)组成,工件予加热系统由加热器(17)加热电源(16)组成,供气系统由供气瓶(12)进气口(14)组成,抽气系统由机械泵(8)和扩散泵(7)组成,工件(10)置于工件托盘(9)上,位于真空容器(1)中央,非平衡磁控溅射靶源(3)、(11)对称置于真空容器壁两侧,中低能离子源(15)置于容器(1)的顶部,在阳极容器壁(2)和非平衡磁控溅射靶源(3)、(11)之间分别连接可调0~1200V直流电源(4)、(13),在阳极容器壁(2)和工件(10)之间连接可调的0~1000V直流电源(5),加热器(17)两端连接可调交流电源(16),其非平衡磁控溅射靶源(3)、(11)是由非对称的强磁铁和由欲渗镀金属、合金或石墨碳制成的不同形状的磁控靶构成,安放在容器壁(2)的两侧并可以向真空容器内推进0~50mm距离,其真空容器顶部安装的离子源(15)为中低能、大束流离子源。
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